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概述 应用框图 其他相关

流式细胞仪

流式细胞仪通过激光照射高速流动的细胞群，并在微秒级时间内捕捉微弱的荧光与散射光脉冲。针对其核心光电倍增管（PMT）或硅光电倍增管（SiPM）对电源纹波的极端敏感性，以及高速数据采集卡在处理多通道信号时面临的静电（ESD）风险，我们提供了超低噪声滤波与高带宽低电容防护方案。这些技术有效降低了背景基线噪声，防止了高速脉冲信号的畸变，确保了设备对稀有细胞群体检测的超高灵敏度与分类准确性。

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流式细胞仪应用框图

产品

技术文档

Gdt 气体放电管 (2)

2R600L-5.5×6

 -- 2R600L-5.5×6：双电极、600V、5kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

2R600L-8×6

 -- 双电极、600V、10kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

Mov 压敏电阻 (2)

Gdt 气体放电管 (2)

2R090L-5.5×6

 -- 双电极、90V、5kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

2R090L-8×6

 -- 双电极、90V、10kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

Mov 压敏电阻 (1)

Tvs 瞬态抑制二极管 (2)

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

 -- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Esd 静电保护元件 (2)

ESD5V0D3B

 -- ESD5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于 对电容不敏感的低速信号 的静电防护。

ESD3V3D8B

 -- ESD3V3D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 3.3V，双向 保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于 对电容不敏感的低速信号 的静电防护。

Tss 半导体放电管 (2)

P0220SCL

 -- P0220SCL 半导体放电管 TSS，SMB（Do-214AA）封装，动作电压22V；100A/10/1000us波形，浪涌泄放效果优、过压防护响应快

P3100SCL

 -- P3100SCL 半导体放电管 TSS，SMB（Do-214AA）封装，动作电压310V；100A/10/1000us波形，浪涌泄放效果优、过压防护响应快

Tss 半导体放电管 (1)

P0080SCL

 -- P0080SCL 半导体放电管 TSS，SMB（Do-214AA）封装，动作电压8V；100A/10/1000us波形，浪涌泄放效果优、过压防护响应快

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

SMF6.5CA

 -- SMF6.5CA, SOD123FL 贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；200W瞬间峰值功率；用于工业6.5V电路双向瞬态浪涌与静电防护

Esd 静电保护元件 (1)

Esd 静电保护元件 (2)

ESDLC5V0D8B

 -- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESD0524P

 -- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Gdt 气体放电管 (3)

3R090L-5×7.6

 -- 90V、≤1pF、5kA 三电极气体放电管，专为通信线路和数据接口提供高能量浪涌与雷击防护，适合对低电容和高可靠性有要求的应用场景。

3R090L-6×8

 -- 90V、≤1pF、10kA 三电极气体放电管（GDT），适用于通信线路、宽带设备及低压信号接口的浪涌、雷击和瞬态过电压保护

3R090L-8×10

 -- 90V、≤1pF、10kA 三电极气体放电管（GDT），适用于通信线路、宽带设备及低压信号接口的浪涌、雷击和瞬态过电压保护

Esd 静电保护元件 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

 -- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料
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