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概述 应用框图 其他相关

血糖监测仪

血糖监测仪对生物电信号的捕获要求极高的灵敏度。由于设备频繁与人体接触，极易受到瞬态静电（ESD）的干扰。我们提供的超低漏电流与极低电容防护方案，在确保信号传输零失真的同时，能有效屏蔽外部电磁噪声。这些关键组件保障了生化采样前端的精密逻辑不受静电损伤，确保用户在任何环境下都能获得快速、准确且重复性高的血糖测量结果。

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血糖监测仪应用框图

产品

技术文档

Tvs 瞬态抑制二极管 (4)

SMF6.5CA

 -- SMF6.5CA, SOD123FL 贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；200W瞬间峰值功率；用于工业6.5V电路双向瞬态浪涌与静电防护

SMAJ6.5CA

 -- SMAJ6.5CA Do-214AC贴片TVS瞬态抑制二极管，6V工作峰值电压，400W瞬间峰值功率，用于6V电路瞬态浪涌与静电防护

SMAJ6.5A

 -- SMAJ6.5A Do-214AC贴片TVS瞬态抑制二极管，6V工作峰值电压，400W瞬间峰值功率，用于6V电路瞬态浪涌与静电防护

SMBJ6.5CA

 -- SMBJ6.5CA Do-214AA贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；600W 瞬间峰值功率；用于6.5V电路瞬态浪涌与静电防护

Esd 静电保护元件 (5)

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0D8BH

 -- ESD5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于 对电容不敏感的低速信号 的静电防护。

Esd 静电保护元件 (3)

ESDLC5V0D3B

 -- ESDLC5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESDLC5V0D8B

 -- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESDULC5V0D8B

 -- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于 中高速信号（如USB 3.0） 的静电防护。

Esd 静电保护元件 (5)

ESDLC5V0D3B

 -- ESDLC5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESD5V0D8BH

 -- ESD5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于 对电容不敏感的低速信号 的静电防护。

ESDLC5V0D8B

 -- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESDULC5V0D8B

 -- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于 中高速信号（如USB 3.0） 的静电防护。

NRESDTLC5V0D8B

 -- NRESDTLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，极低电容（0.2 pF以内），标准工艺/单通道，适用于 超高速高频信号（如HDMI 2.1、5G射频） 的静电防护。

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

 -- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Esd 静电保护元件 (2)

ESDLC5V0D8B

 -- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于 一般高速信号（如USB 2.0） 的静电防护。

ESDULC5V0D8B

 -- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向 保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于 中高速信号（如USB 3.0） 的静电防护。
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